El Modelo 8000-0XX de ETS-Lindgren ofrece una amplia gama de amplificadores de potencia de RF para cualquier aplicación de prueba EMC. Estos amplificadores producen excelentes niveles de potencia de salida, al mismo tiempo que mantienen un nivel de rendimiento eficiente. Los amplificadores RF son diseñados principalmente para aplicaciones EMC que cumplen con la EN / IEC 61000-4-6.
Utilizando la tecnología MOSFET, este amplificador de RF proporciona una mayor linealidad, un diseño resistente y un mejor rendimiento de eficiencia en comparación con los amplificadores basados en silicio.
Utilizando la tecnología GaAs, este amplificador de RF proporciona una mayor linealidad, un diseño resistente y un mejor rendimiento de eficiencia en comparación con los amplificadores basados en silicio.
El modelo 8000-0XX proporciona una distorsión y tolerancia muy bajas para una falta de coincidencia del 100%.
Carcaterísticas del modelo 8000-0XX:
- EN/IEC 61000-4-6, 400W o MIL-STD 461 RS103, 200 V/m
- Diseño MOSFET o GaAs
- Excelente desempeño y eficiencia
- Enclavamiento de seguridad
Especificaciones eléctricas de los Amplificadores RF:
- Rango de frecuencia: 10 kHz a 100 MHz
- Armónicos: -20 dBc Máximo
- Impedancia de salida: 50 Ω
- VSWR de entrada: 2: 1 máximo
Modelo | Potencia | Frecuencia | Variación de amplificación | Dimensiones |
8100-001 | 200W | 80MHz-1GHz | ± 2 dB | 3U |
8000-040 | 30W | 80MHz-1GHz | ±3 dB | 3U |
8000-023 | 45W | 10kHz-1GHz | ±3 dB | 6U |
8000-001 | 175W | 80MHz-1GHz | ±2 dB | 4U |
8000-003 | 500W | 80MHz-1GHz | ±3 dB | 25U |
8000-034 | 100W | 80MHz-1GHz | ±2 dB | 4U |
8000-002 | 275W | 80MHz-1GHz | ±3 dB | 4U |
8000-004 | 1000W | 80MHz-1GHz | ±3 dB | 34U |
8000-005 | 2000W | 200MHz-1GHz | ±3 dB | 2x34U |
8000-022 | 18W | 100kHz-1GHz | ±3 dB | 3U |
8100-002 | 1000W | 80MHz-1GHz | ±2 dB | 3U |
8000-035 | 35W | 1MHz-1GHz | ±3 dB | 3U |
8100-004 | 2000W | 80MHz-1GHz | ±2 dB | 24U |
8000-007 | 1000W | 80MHz-1GHz | ±3 dB | 20U |